@[TOC]生產(chǎn)測試中的CP wafer的單片測試時間計算以及UPH

在半導體生產(chǎn)鏈的CP測試過程中，當工程師確認了一個touchdown的測試時間，如何預估一片wafer的測試時間和UPH等信息呢？
如下我們搜集 了4個deivce ：

1.單片wafer純測試時間計算公式1 ((Totaldies/Sites+2xSQRT(Totaldies/p)x0.5)x1.2+index)x touchdownTime
1）Totaldies/Sites為理想情況所有DUT扎所有die時，1片wafer的touchdown次數(shù)
2）2xSQRT(Totaldies/p） 為一片wafer理想情況的行數(shù) （p為圓周率pai）
3）邊沿系數(shù)：2xSQRT(Totaldies/p）x0.5為prober走步經(jīng)過wafer邊沿，預計2行會多出一個touchdown(默認DUT以2行N列排列)；此系數(shù)會受DUT排列，site數(shù)量，Die總數(shù) 所影響；此處只能給一個預估值；site數(shù)多比如32，
建議改為0.5->0.3
4）回收系數(shù)：最后x1.2為回收系數(shù)，良率越好回收系數(shù)越小，良率越差回收系數(shù)越大，同時site數(shù)越大回收系數(shù)越小。實際建議結(jié)合情況來給
90%良率以上回收系數(shù)建議選擇1.1
所以單片測試時間為所有touchdown次數(shù)x每個touchdown的測試時間得來

2.單片wafer純測試時間計算公式2
((Totaldies/Sites)x1.1x1.2+index)xtouchdownTime :邊沿系數(shù)默認為1.1，回收系數(shù)默認為1.2 。 為了方便計算，通過給個大概的比例來計算（需要合理給出比例系數(shù)）。
3.測試外單片測試消耗時間:
常溫上下片簡單掃片3Min（換片過程中的掃片通常都是設(shè)置的比較簡單的掃片方式，更換lot或者deivce文件，第一次掃片可能時間較長一些）+測試過程中的清針（1次40s），異常報警(2次0.5分鐘)，針痕自檢無異常情況下5個區(qū)域最長2min；總計7分鐘以內(nèi)；
人工換LOT 1min，做首件針痕記錄和QA首件5~10分鐘
約：7x60+600/25=444s

注意：實際的測試時間和UPH當使用實際Log或sunmmary中搜集到的測試時間求均值；此處的計算只用于來參考和預估；

例如log中顯示的
Test Start Date : Wed Sep 09 06:45:12 2020
Test End Date : Wed Sep 09 07:35:08 2020

本文只是根據(jù)經(jīng)驗表述，不妨有其他人的其他計算方法和有較小差異的說法；

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的芯片生产测试中的CP wafer单片测试时间和UPH预估的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。